- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384497 > IRFU3706CPbF (International Rectifier) SMPS MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFU3706CPbF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 265K |
| 代理商： | IRFU3706CPBF |
www.irf.com
1
IRFR3706CPbF
IRFU3706CPbF
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
9.0m
V
DSS
20V
I
D
75A
Notes
through are on page 10
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
C
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
C
= 100°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.59 mW/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
20
Units
V
Drain-Source Voltage
± 12 V
75
53
280
88
44
A
W
W
-55 to + 175
°C
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.7
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
Applications
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Lead-Free
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
I-Pak
IRFU3706CPbF
D-Pak
IRFR3706CPbF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3707ZCPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707ZCPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3707ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=13mohm, Id=61A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3706PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3707 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU3707PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3707Z | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707ZCPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。