- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384497 > IRFU3706CPbF (International Rectifier) SMPS MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFU3706CPbF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 265K |
| 代理商： | IRFU3706CPBF |
IRFR/U3706CPbF
2
www.irf.com
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 36A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 36A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 36A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 36A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.88
0.82
45
65
49
78
1.3
–––
68
98
74
120
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Parameter
Min.
20
Typ.
–––
Max. Units
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.021 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
6.9
8.1
11.5
–––
–––
–––
–––
–––
9.0
11
23
2.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
GS
= 2.8V, I
D
= 7.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
m
V
μA
nA
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
220
28
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
75
280
V
SD
Diode Forward Voltage
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Symbol
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss
Rg
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Parameter
Min. Typ. Max. Units
53
–––
–––
23
–––
8.0
–––
5.5
–––
16
–––
1.8
–––
6.8
–––
87
–––
17
–––
4.8
–––
2410
–––
1070
–––
140
Conditions
V
DS
= 16V, I
D
= 57A
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
35 I
D
= 28A
12
nC
8.3
24
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
–––
S
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
V
DD
= 10V
I
D
= 28A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
= 1.0MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3707ZCPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707ZCPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3707ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=13mohm, Id=61A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3706PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3707 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU3707PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3707Z | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707ZCPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。