参数资料
型号: IRFU3706-701PBF
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
标准包装: 75
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 10V
功率 - 最大: 88W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
PD - 95097A
Applications
l High Frequency Isolated DC-DC
SMPS MOSFET
IRFR3706PbF
IRFU3706PbF
HEXFET ? Power MOSFET
Converters with Synchronous Rectification
V DSS
R DS(on) max
I D
l
for Telecom and Industrial Use
High Frequency Buck Converters for
20V
9.0m ?
75A ?
Computer Processor Power
l
Lead-Free
Benefits
l
l
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low RDS(on) at 4.5V V GS
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D-Pak
IRFR3706
I-Pak
IRFU3706
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T C = 100°C
T J , T STG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Maximum Power Dissipation ?
Maximum Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Max.
20
± 12
75 ?
53 ?
280
88
44
0.59
-55 to + 175
Units
V
V
A
W
W
mW/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Case ?
Junction-to-Ambient (PCB mount)* ?
Junction-to-Ambient ?
–––
–––
–––
1.7
50
110
°C/W
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
Notes ? through ? are on page 10
www.irf.com
1
12/14/04
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IRFU3707Z 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET