- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17592 > IX2127NTR (IXYS Integrated Circuits Division)IC MOSFET/IGBT DVR 600V 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IX2127NTR |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET/IGBT DVR 600V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | * |
IX2127
High-Voltage
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
Driver Characteristics
Power MOSFET & IGBT Driver
Description
Parameter
V OFFSET
I O +/- (Source/Sink)
V CSth
t ON / t OFF (Typical)
Rating
600
250/500
250
100
Units
V
mA
mV
ns
The IX2127 is a high-voltage, high-speed power
MOSFET and IGBT driver. High-voltage level-shift
circuitry enables this device to operate up to 600V.
IXYS Integrated Circuits Division’s proprietary
common-mode design techniques provide stable
operation in high dV/dt noise environments.
An on-board comparator can be used to detect an
Features
? Floating Channel Designed for Bootstrap Operation
up to 600V
? Tolerant to Negative Transient Voltages; dV/dt
Immune
? Undervoltage Lockout
? 3.3V, 5V, and 12V Input Logic Compatible
? Open-Drain FAULT Indicator Pin Shows
Over-Current Shutdown
? Output in Phase with the Input
Applications
? High-Speed Gate Driver
? Motor Drive Inverter
over-current condition in the driven MOSFET or IGBT
device, and then shut down drive to that device. An
open-drain output, FAULT, indicates that an
over-current shutdown has occurred.
The gate driver output typically can source 250mA
and sink 500mA, which is suitable for fluorescent lamp
ballast, motor control, SMPS, and other converter
drive topologies.
The IX2127 is provided in 8-pin DIP and 8-pin SOIC
packages, and is available in Tape & Reel versions.
See ordering information below.
Ordering Information
Pb
e 3
Part
IX2127G
IX2127N
IX2127NTR
Description
8-Pin DIP (50/Tube)
8-Pin SOIC (100/Tube)
8-Pin SOIC (2000/Reel)
IX2127 Block Diagram
V CC
V CC
Low Side
High Side
Undervoltage Lockout
V B
Buffer
HO
IN
Data Latch
Enable
Transmitter
Low-High
Level Shift
Receiver
V S
Blanking
FAULT
Signal
Delay
Q
R
Enable
COM
S
Receiver
High-Low
Level Shift
Transmitter
Data Latch
+
_
CS
Comparator
DS-IX2127-R03
www.ixysic.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A180PE | RECTIFIER SIL 1500V 150A DO-8 |
| GEM12DRTI-S13 | CONN EDGECARD 24POS .156 EXTEND |
| IXDI602SI | 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT |
| ABMM-27.000MHZ-B2-T | CRYSTAL 27.000MHZ 18PF SMD |
| R6031025HSYA | RECTIFIER FST REC 1000V 250A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IX21844N | 功能描述:IC GATE DVR HALF 600V 14SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 驱动配置:半桥 通道类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.4A，1.8A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:23ns，14ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:14-SOIC 标准包装:50 |
| IX2204NE | 功能描述:IC IGBT GATE DVR DUAL 16SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 驱动配置:低压侧 通道类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT 电压 - 电源:-10 V ~ 25 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:-，8ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:50 |
| IX-250 | 制造商:Brainboxes 功能描述:INTASHIELD PCIE LP 1+1XRS232 |
| IX2A11P1 | 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IX2A11S1 | 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。