参数资料
型号: IX2127NTR
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 7/13页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET/IGBT DVR 600V 8-SOIC
标准包装: 2,000
系列: *
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.7.1 I/O Timing Diagram
I N
CS
FAULT
1.7.4 CS Sh u tdo w n Wa v eforms
V CS_TH+
CS
IX2127
HO
HO
t cs
90%
1.7.2 S w itching Time Wa v eforms
50%
I N
90%
1.7.5 CS to FLT Wa v eforms
V CS_TH+
HO
10%
CS
t on
t r
t off
t f
t flt
1.7.3 Start u p Blanking Time Wa v eforms
50%
FAULT
90%
I N
t b lk
CS
90%
HO
FAULT
R03
www.ixysic.com
7
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PDF描述
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参数描述
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IX2204NE 功能描述:IC IGBT GATE DVR DUAL 16SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 驱动配置:低压侧 通道类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT 电压 - 电源:-10 V ~ 25 V 逻辑电压?- VIL,VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-,8ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:50
IX-250 制造商:Brainboxes 功能描述:INTASHIELD PCIE LP 1+1XRS232
IX2A11P1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
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