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参数资料
| 型号： | IRFU3707PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1990pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFU3707PBF |
IRFR/U3707PbF
0.10
0.09
0.08
VGS = 4.5V
0.013
0.012
0.07
0.06
0.05
0.04
0.011
ID = 31A
0.03
0.02
0.01
0.00
VGS = 10V
0.010
0.009
0
50
100
150
200
250
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
ID , Drain Current ( A )
Fig 12. On-Resistance Vs. Drain Current
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 13. On-Resistance Vs. Gate Voltage
- DS
12V
V GS
.2 μ F
50K ?
.3 μ F
3mA
D.U.T.
+
V
V GS
V G
Q GS
Q G
Q GD
Charge
600
500
ID
TOP 10.1A
20.7A
BOTTOM 24.8A
I G
I D
Current Sampling Resistors
400
Fig 14a&b. Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveforms
15V
300
200
tp
V (BR)DSS
VDS
L
DRIVER
100
I AS
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
- VDD
A
0
25
50 75 100 125 150
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
175
Fig 15a&b. Unclamped Inductive Test Circuit
and Waveforms
6
Fig 15c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445C33J16M00000 | CRYSTAL 16.000000 MHZ 9PF SMD |
| 445C33J13M00000 | CRYSTAL 13.000000 MHZ 9PF SMD |
| FXO-HC525-111.15412 | OSC 111.15412 MHZ 2.5V HCMOS SMD |
| 34CMSP53B5M2RT | TOG SMIN SPDT O-O-O T PC LF |
| FXO-HC525-116.54144 | OSC 116.54144 MHZ 2.5V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3707Z | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707ZCPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 56A 9.5mOhm 9.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3708 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU3708PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 61A 12.5mOhm 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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