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参数资料
| 型号： | IRFU3707PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1990pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 87W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFU3707PBF |
IRFR/U3707PbF
I-Pak (TO-251AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
I-Pak (TO-251AA) Part Marking Information
EXAMPLE: T HIS IS AN IRFU120
WIT H ASSEMBLY
LOT CODE 5678
AS SEMBLED ON WW 19, 1999
IN T HE ASSEMBLY LINE "A"
Note: "P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
INT ERNAT IONAL
RECT IFIER
LOGO
ASS EMBLY
LOT CODE
IRF U120
919A
56 78
PART NUMBER
DAT E CODE
YEAR 9 = 1999
WEEK 19
LINE A
OR
INT ERNAT IONAL
PART NUMBER
RECT IFIER
LOGO
IRFU120
DAT E CODE
P = DESIGNAT ES LEAD-FREE
8
AS SEMBLY
LOT CODE
56
78
PRODUCT (OPT IONAL)
YEAR 9 = 1999
WEEK 19
A = AS SEMBLY SIT E CODE
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445C33J16M00000 | CRYSTAL 16.000000 MHZ 9PF SMD |
| 445C33J13M00000 | CRYSTAL 13.000000 MHZ 9PF SMD |
| FXO-HC525-111.15412 | OSC 111.15412 MHZ 2.5V HCMOS SMD |
| 34CMSP53B5M2RT | TOG SMIN SPDT O-O-O T PC LF |
| FXO-HC525-116.54144 | OSC 116.54144 MHZ 2.5V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3707Z | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707ZCPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 56A 9.5mOhm 9.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3708 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU3708PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 61A 12.5mOhm 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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