- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录447 > IRFU540ZPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 100V 35A IPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRFU540ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 35A IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28.5 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 59nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1690pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 91W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
IRFR/U540ZPbF
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
10
10
4.5V
1
4.5V
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
70
60
TJ = 25°C
100
50
10
1
TJ = 175°C
TJ = 25°C
40
30
20
TJ = 175°C
0.1
VDS = 25V
≤ 60μs PULSE WIDTH
10
0
VDS = 10V
380μs PULSE WIDTH
2
3
4
5
6
7
8
0
10
20
30
40
50
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
ID,Drain-to-Source Current (A)
Fig 4. Typical Forward Transconductance
vs. Drain Current
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFW630BTM_FP001 | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
| IRFZ14STRR | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK |
| IRFZ24NSTRR | MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK |
| IRFZ24STRRPBF | MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK |
| IRFZ34E | MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU5410 | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU5410PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU5505 | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU5505GPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance |
| IRFU5505HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 18A 3PIN IPAK - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。