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参数资料
| 型号： | IRFU5505 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 9.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFU5505 |
IRFR/U5505
Package Outline
TO-252AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2.38 (.094)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
6.73 (.265)
6.35 (.250)
-A-
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
4
6.45 (.245)
5.68 (.224)
6.22 (.245)
5.97 (.235)
10.42 (.410)
1.02 (.040)
1.64 (.025)
1
2
3
9.40 (.370)
LEA D AS SIG NME NT S
1 - G AT E
0.51 (.020)
2 - DRA IN
1.52 (.060)
-B -
MIN.
3 - S OUR CE
4 - DRA IN
1.15 (.045)
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
0.58 (.023)
2X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
0.25 ( .010)
M A M B
0.46 (.018)
2.28 (.090)
4.57 (.180)
NOT ES:
1 DIME NSIO NING & T OLE RANCING P ER A NSI Y 14.5M, 1982.
2 CO NTRO LLING DIMENS ION : INCH.
3 CO NFO RMS T O JEDE C O UTLINE TO -252AA .
4 DIME NSIO NS S HO W N ARE BEF O RE SO LD ER DIP ,
SO LDER DIP MA X. +0.16 (.006).
Part Marking Information
TO-252AA (D-Pak)
E X A M P LE : T H IS IS A N IR F R 120
W IT H A S S E MB L Y
LOT C OD E 9U 1P
IN T E R N A T IO N A L
R E CT IF IE R
LO G O
IR F R
12 0
F IR S T P O R T ION
OF P A R T N U MB E R
A
A S S E MB L Y
L O T C OD E
9U
1P
S E C O N D P O R T ION
OF PART NUMBER
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU5305 | MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK |
| F931C155KAA | CAP TANT 1.5UF 16V 10% 1206 |
| AT488JE | PB ROUND YELLOW FOR KB SERIES |
| IRFR5505 | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK |
| AT487JB | CAP INSERT SQ CLR/WHT FOR KB SER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU5505GPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance |
| IRFU5505HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 18A 3PIN IPAK - Bulk |
| IRFU5505PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -55V -18A 110mOhm 21.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU6215 | 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU6215PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -150V -13A 580mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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