型号: | IRFU5505 |
厂商: | International Rectifier |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的 |
文件页数: | 5/10页 |
文件大小: | 108K |
代理商: | IRFU5505 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFR5505 | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P沟道表贴型HEXFET功率MOS场效应管) |
IRFRU6215 | Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
IRFU6215 | CAP 0.22UF 25V 10% X7R SMD-1206 TR-7-PL 3K/REEL |
IRFR6215 | Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
IRFRU9024N | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFU5505GPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance |
IRFU5505HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 18A 3PIN IPAK - Bulk |
IRFU5505PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -55V -18A 110mOhm 21.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFU6215 | 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRFU6215PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -150V -13A 580mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |