型号: | IRFU6215 |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | CAP 0.22UF 25V 10% X7R SMD-1206 TR-7-PL 3K/REEL |
中文描述: | 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d-为150V,的Rds(on)\u003d 0.295ohm,身份证\u003d- 13A条) |
文件页数: | 8/10页 |
文件大小: | 141K |
代理商: | IRFU6215 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFR6215 | Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFU6215PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -150V -13A 580mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFU7440PBF | 功能描述:MOSFET 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, I-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFU9010 | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFU9010PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFU9012 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-251AA |