型号: | IRFU9014PBF |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET㈢ Power MOSFET |
中文描述: | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
文件页数: | 10/10页 |
文件大小: | 1849K |
代理商: | IRFU9014PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFR9024NPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ヘ , ID = -11A ) |
IRFU9024NPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ヘ , ID = -11A ) |
IRFR9110PBF | HEXFET Power MOSFET |
IRFu9110PBF | HEXFET Power MOSFET |
IRFR9110 | 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P沟道功率MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFU9020 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFU9020PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFU9020TU | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 7/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFU9022 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
IRFU9022PBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |