参数资料
型号: IRFU9024N
厂商: International Rectifier
文件页数: 9/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
标准包装: 75
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 175 毫欧 @ 6.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V
功率 - 最大: 38W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
其它名称: *IRFU9024N
IRFR/U9024N
Package Outline
TO-251AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
6.73 (.265)
6.35 (.250)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
-A-
1.27 ( .050)
0.88 ( .035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD AS SIG NMENT S
4
6.45 (.245)
5.68 (.224)
1 - G AT E
2 - DRA IN
3 - S OURCE
1.52 ( .060)
1.15 ( .045)
6.22 ( .245)
5.97 ( .235)
4 - DRA IN
-B -
1
2
3
NOT ES :
1 DIME NSIO NING & T OLE RANCING P ER A NSI Y14.5M, 1982.
2.28 (.090)
1.91 (.075)
9.65 (.380)
8.89 (.350)
2 CO NTRO LLIN G DIMENS ION : INCH.
3 CO NFO RMS TO J EDE C O UT LINE TO -252AA .
4 DIME NSIO NS SHOW N A RE BEF O RE SO LDER DIP ,
SO LDER DIP MA X. +0.16 (.006).
3X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
2.28 (.090)
2X
0.25 (.010)
M A M B
0.58 (.023)
0.46 (.018)
Part Marking Information
TO-251AA (I-Pak)
E X A M P LE : TH IS IS A N IR F U1 20
W IT H A S S E M B LY
LO T C O D E 9U 1P
IN TE RN A T IO N A L
R E C T IF IE R
LO GO
IR F U
120
F IR S T P O RT IO N
O F P A R T N UM B E R
A S S E M B LY
LO T C O D E
9U
1P
S E C O N D P O R T ION
OF PART NUMBER
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PDF描述
MMBD4448HCQW-7-F DIODE SW ARRAY 80V 200MW SOT353
ECH-U1H121GB5 CAP FILM 120PF 50VDC 0805
ECH-U1C683JB5 CAP FILM 0.068UF 16VDC 1210
ECH-U1C333JB5 CAP FILM 0.033UF 16VDC 1206
UB25NKW01N-F SWITCH PUSHBUTTON DPDT 5A 125V
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFU9024NCPBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET
IRFU9024NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK
IRFU9024NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU9024PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU9024TU 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube