参数资料
型号: IRFU9120N
厂商: International Rectifier
文件页数: 10/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
标准包装: 75
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 480 毫欧 @ 3.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V
功率 - 最大: 40W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
其它名称: *IRFU9120N
IRFR/U9120N
Tape & Reel Information
TO-252AA
TR
1 6.3 ( .6 41 )
1 5.7 ( .6 19 )
TRR
TRL
16 .3 ( .64 1 )
15 .7 ( .61 9 )
12 .1 ( .4 7 6 )
11 .9 ( .4 6 9 )
F E E D D IR E C T IO N
8 .1 ( .3 18 )
7 .9 ( .3 12 )
F E E D D IR E C T IO N
NOTES :
1 . C O N T R O LL IN G D IM E N S IO N : M ILL IM E T E R .
2 . A LL D IM E N S IO N S A R E S H O W N IN M ILL IM E T E R S ( IN C H E S ).
3 . O U T L IN E C O N F O R M S T O E IA -4 81 & E IA -54 1.
1 3 IN C H
16 m m
NO TES :
1. O U T L IN E C O N F O R M S T O E IA -4 81 .
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice. 3/98
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
IRFU9120NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
IRFU9120NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -100V -6.5A 480mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU9120PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU9121 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251
IRFU9210 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube