型号: | IRFU9220PBF |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET㈢ Power MOSFET |
中文描述: | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
文件页数: | 3/10页 |
文件大小: | 1090K |
代理商: | IRFU9220PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRFR9220 | 3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
IRFU9220 | 3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
IRFR9220 | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A) |
IRFU9220 | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A) |
IRFRU3910 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds=0.115ohm, Id=16A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFU9221 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-251AA |
IRFU9222 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-251AA |
IRFU9310 | 功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFU9310PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFU9N20D | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |