参数资料
型号: IRFW720S
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: JFETs
英文描述: N-Channel Power MOSFET(400V,1.8Ω,3.3A)(N沟道功率MOS场效应管(漏源电压400V,导通电阻1.8Ω,漏电流3.3A))
中文描述: 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装: D2PAK-3
文件页数: 6/7页
文件大小: 235K
代理商: IRFW720S
IRFW720S
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
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