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参数资料
| 型号： | IRFWI530A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Advanced Power MOSFET |
| 中文描述： | 先进的功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 259K |
| 代理商： | IRFWI530A |
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by “R
G
”
I
S
controlled by Duty Factor “D”
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
IRFW/I530A
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