参数资料
型号: IRFWZ34
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: JFETs
英文描述: 60V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为60V的N沟道增强型功率MOS场效应管)
中文描述: 30 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装: D2PAK-3
文件页数: 5/7页
文件大小: 235K
代理商: IRFWZ34
IRFWZ34
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
Fig 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Fig 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
E
AS
=
L
L
I
AS2
-1
2
--------------------
BV
DSS
-- V
DD
BV
V
in
V
out
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
Vary t
to obtain
required peak I
D
10V
V
DD
C
L
L
V
DS
I
D
R
G
t
p
DUT
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
V
DD
( 0.5 rated V
DS
)
10V
V
out
V
in
R
L
DUT
R
G
3mA
V
GS
Current Sampling (I
G
)
Resistor
Current Sampling (I
D
)
Resistor
DUT
V
DS
300nF
50k
200nF
12V
Same Type
as DUT
Current Regulator
R
1
R
2
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