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参数资料
| 型号： | IRFZ24 |
| 英文描述： | (166.12 k) |
| 中文描述： | （166.12十一） |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 331K |
| 代理商： | IRFZ24 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ24A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-220AB |
| IRFZ24STRL | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRFZ24STRR | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRFZ24VL | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
| IRFZ24VS | 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFZ24A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRFZ24L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFZ24LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ24N | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) |
| IRFZ24N,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A SOT78 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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