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参数资料
| 型号： | IRFZ34 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 60V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为60V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | 30 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | IRFZ34 |
IRFZ34
BV
DSS
= 60 V
R
DS(on)
= 0.04
I
D
= 30 A
60
30
21.2
120
±
20
463
30
7.7
5.5
77
0.52
- 55 to +175
300
1.94
--
62.5
--
0.5
--
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
175
°
C Operating Temperature
Lower Leakage Current: 10
μ
A (Max.) @ V
DS
= 60V
Lower R
DS(ON)
: 0.030
(Typ.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
°
C/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
°
C)
Continuous Drain Current (T
C
=100
°
C)
Drain Current-Pulsed
(1)
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(2)
Avalanche Current
(1)
Repetitive Avalanche Energy
(1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(3)
Total Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
Characteristic
Value
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
°
C
A
°
C
TO-220
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44A | 60V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为60V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
| IRFZ44 | 60V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为60V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
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| IRL510 | 100V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为100V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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