IRFZ34NL PDF资料下载(1/1 页)TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS

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IRFZ34NS	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 29A I(D) \| TO-263AB
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IRFZ34S	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-263AB
IRFZ34STRL	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-263AB

相关代理商/技术参数	参数描述
IRFZ34NLPBF	功能描述:MOSFET MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34NPBF	功能描述:MOSFET MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34NPBF	制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR ((NW))
IRFZ34NS	功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ34NSPBF	功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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参数描述

功能描述:MOSFET MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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功能描述:MOSFET MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR ((NW))

IRFZ34NS

功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

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功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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型号：	IRFZ34NL
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 29A I(D) \| TO-262
中文描述：	晶体管\| MOSFET的\| N沟道\| 55V的五（巴西）直\|第29A条（丁）\|至262
文件页数：	1/1页
文件大小：	42K
代理商：	IRFZ34NL

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