参数资料
型号: IRFZ44NS
厂商: International Rectifier
文件页数: 10/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 49A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 17.5 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1470pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
其它名称: *IRFZ44NS
IRFZ44NS/IRFZ44NL
Tape & Reel Information
D 2 Pak
TR R
1 .6 0 (.0 6 3 )
1 .5 0 (.0 5 9 )
F E E D D IRE CTIO N 1 .8 5 (.0 7 3 )
4 .1 0 (.1 6 1 )
3 .9 0 (.1 5 3 )
1 .60 (.06 3)
1 .50 (.05 9)
1 1 .6 0 (.4 5 7 )
0 .3 68 (.0 1 4 5 )
0 .3 42 (.0 1 3 5 )
1 .6 5 (.0 6 5 )
1 1 .4 0 (.4 4 9 )
1 5 .4 2 (.6 0 9 )
1 5 .2 2 (.6 0 1 )
2 4 .3 0 (.9 5 7 )
2 3 .9 0 (.9 4 1 )
TR L
1 .75 (.06 9 )
10 .9 0 (.42 9)
10 .7 0 (.42 1)
1 .25 (.04 9 )
16 .10 (.63 4 )
4 .7 2 (.1 3 6)
4 .5 2 (.1 7 8)
15 .90 (.62 6 )
F E E D D IRE C TIO N
NO TES :
33 0.00
(1 4.1 73)
MA X.
13.50 (.532 )
12.80 (.504 )
2 7.4 0 (1.079)
2 3.9 0 (.9 41)
4
60.00 (2.3 62)
MIN .
3 0.40 (1.1 97)
MAX.
1. C O M F O R M S TO E IA -4 18.
2. C O N TR O LLIN G D IM E N S IO N : M ILL IM ET ER .
3. D IM E N S IO N ME A S U R E D @ H U B .
4. IN C LU D E S F LA N G E D IS TO R T IO N @ O U T E R E D G E .
26 .40 (1.03 9)
24 .40 (.961 )
3
4
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the industrial market.
Qualification Standards can be found on IR ’ s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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10
www.irf.com
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参数描述
IRFZ44NS\31B 功能描述:MOSFET USE 781-SUB40N06-25L RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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