参数资料
型号: IRG4BC20UD-STRL
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6.5A I(C) | TO-263AB
中文描述: 晶体管| IGBT的|正陈| 600V的五(巴西)国际消费电子展| 6.5AI(丙)|至263AB
文件页数: 3/8页
文件大小: 135K
代理商: IRG4BC20UD-STRL
IRG4BAC50S
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
0
20
40
60
80
100
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T sink
Power D issipation = 4 0W
J
Triangular wave:
I
C lamp voltage:
80% of rated
L
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PDF描述
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