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参数资料
| 型号： | IRG4PG40MD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小时 |
| 文件页数： | 15/35页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRG4PG40MD |
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TEMPERATURE & HUMIDITY (THB)
T0247 Package
Junction Temperature:
Relative Humidity:
Applied Bias:
85°C
85% rh
Vge = 0V
Vce = as specified
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
COLLECTOR
VOLTAGE
QTY
A FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2000 0
MODE
(note b)
(V)
100
IRGPF30F
9642
20
TOTALS
20
2000 0
N Channel
HIGH FREQUENCY ( Ultra-Fast )
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
COLLECTOR
VOLTAGE
QTY
A FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
1504 3
1504 4
2051 0
1008 0
MODE
(note b)
(V)
500
500
100
500
IRGPC40U
IRGPC40U
IRG4PC40UD2
IRGPH60UD2
9538
9620
9643
9450
20
20
20
10
1
1
TOTALS
70
6067 7
NOTES
b. FAILURE MODES:
1.
3 devices failed @ 1504hrs 85/85 and 4 devices failed @
1552 HRS 85/85 all the failures were due to termination
structure corrosion, caused by moisture ingression.
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 15 of 35
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PG40SD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40UD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PH40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PH40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PF50WDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4PG40SD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PG40UD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PH20 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
| IRG4PH20K | 功能描述:IGBT UFAST 1200V 11A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRG4PH20KD | 功能描述:IGBT W/DIODE 1200V 11A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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