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参数资料
| 型号： | IRG4PG40UD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小时 |
| 文件页数： | 13/35页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRG4PG40UD |
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HIGH TEMPERATURE GATE BIAS (HTGB)
Junction Temperature:
Tj = as specified below
Vc = Ve = 0V
Vg = as specified
N Channel
LOW FREQUENCY ( Standard )
FAILURE RATE @
DEVICE
TYPE
TEMP
GATE
BIAS
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
0
0
DEV-HRS
FITs
(deg C)
(note b)
IRGBC20S
IRGBC40S
9544
9605
20
20
20
20
2.46E+05
2.46E+05
TOTALS
40
0
4.92E+05
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DATE
TEMP
QTY
ACTUAL
TYPE
BIAS
TIME
(hours)
MODE
FITs
(note a)
(V)
IRGBC30F
IRGBC30FD2
IRGBC30FD2
IRGBF30F
150
150
150
150
20
20
20
20
2008 0
2095 0
2007 0
2008 0
3722
3567
3724
3722
TOTALS
8118 0
921
NOTES
b. FAILURE MODES:
I
Quarterly Reliability Report
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PH40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PH40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PF50WDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4PF50WPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4PF50WD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4PH20 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
| IRG4PH20K | 功能描述:IGBT UFAST 1200V 11A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRG4PH20KD | 功能描述:IGBT W/DIODE 1200V 11A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRG4PH20KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4PH20KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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