参数资料
型号: IRG4PG40UD
厂商: International Rectifier
英文描述: Fit Rate / Equivalent Device Hours
中文描述: FIT率/等效器件小时
文件页数: 15/35页
文件大小: 112K
代理商: IRG4PG40UD
TEMPERATURE & HUMIDITY (THB)
T0247 Package
Junction Temperature:
Relative Humidity:
Applied Bias:
85°C
85% rh
Vge = 0V
Vce = as specified
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
COLLECTOR
VOLTAGE
QTY
A FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2000 0
MODE
(note b)
(V)
100
IRGPF30F
9642
20
TOTALS
20
2000 0
N Channel
HIGH FREQUENCY ( Ultra-Fast )
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
COLLECTOR
VOLTAGE
QTY
A FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
1504 3
1504 4
2051 0
1008 0
MODE
(note b)
(V)
500
500
100
500
IRGPC40U
IRGPC40U
IRG4PC40UD2
IRGPH60UD2
9538
9620
9643
9450
20
20
20
10
1
1
TOTALS
70
6067 7
NOTES
b. FAILURE MODES:
1.
3 devices failed @ 1504hrs 85/85 and 4 devices failed @
1552 HRS 85/85 all the failures were due to termination
structure corrosion, caused by moisture ingression.
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
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PDF描述
IRG4PH40FD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PH40MD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PF50WDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PF50WPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PF50WD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
IRG4PH20 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4PH20K 功能描述:IGBT UFAST 1200V 11A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4PH20KD 功能描述:IGBT W/DIODE 1200V 11A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4PH20KDPBF 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4PH20KPBF 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube