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参数资料
| 型号： | IRG4PH30KPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管短路额定IGBT的超快 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 357K |
| 代理商： | IRG4PH30KPBF |
www.irf.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PH40KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A) |
| IRG4PH40UD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A) |
| IRG4PH40KPBF | Short Circuit Rated UltraFast IGBT |
| IRG4PH40UDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIDDE |
| IRG4PH40U | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4PH40FD | 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 29.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DI |
| IRG4PH40K | 功能描述:IGBT UFAST 1200V 30A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRG4PH40KD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PH40KD-E | 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 18.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DI |
| IRG4PH40KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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