型号: | IRG4PH40KD |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A) |
中文描述: | 绝缘栅双极型晶体管,超快软恢复二极管(VCES和\u003d 1200伏,的Vce(on)典型.\u003d 2.47V,@和VGE \u003d 15V的,集成电路\u003d 15A条) |
文件页数: | 5/10页 |
文件大小: | 217K |
代理商: | IRG4PH40KD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRG4PH40UD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A) |
IRG4PH40KPBF | Short Circuit Rated UltraFast IGBT |
IRG4PH40UDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIDDE |
IRG4PH40U | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A) |
IRG4PH50KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRG4PH40KD-E | 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 18.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DI |
IRG4PH40KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRG4PH40K-E | 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 30.000A TO-247 / IGBT : JA / DISCR |
IRG4PH40KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRG4PH40MD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |