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参数资料
| 型号： | IRG4PH40MD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小时 |
| 文件页数： | 11/35页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRG4PH40MD |
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HIGH TEMPERATURE REVERSE BIAS (HTRB)
T0220 Package
Junction Temperature:
Applied Bias:
Tj = as specified below
Vge = 0V
Vce = 80% of maximum rated BVces
N Channel
HIGH FREQUENCY ( Ultra-Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP
VOLTAGE QTY
MAX
A FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2008 0
2008 0
2008 0
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGBC20K
IRGBC30U
IRGB440U
9613
9605
9643
150
150
150
600
600
400
20
20
20
3.73E+06
3.73E+06
3.73E+06
245
245
245
TOTALS
60
6024 0
1.12E+07
82
NOTES
a. One FIT represents one failure in one billion (1.0E+09) hours.
b. FAILURE MODES:
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRG4PH30 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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