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参数资料
| 型号： | IRG4PH40MD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小时 |
| 文件页数： | 13/35页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRG4PH40MD |
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HIGH TEMPERATURE GATE BIAS (HTGB)
Junction Temperature:
Tj = as specified below
Vc = Ve = 0V
Vg = as specified
N Channel
LOW FREQUENCY ( Standard )
FAILURE RATE @
DEVICE
TYPE
TEMP
GATE
BIAS
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
0
0
DEV-HRS
FITs
(deg C)
(note b)
IRGBC20S
IRGBC40S
9544
9605
20
20
20
20
2.46E+05
2.46E+05
TOTALS
40
0
4.92E+05
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DATE
TEMP
QTY
ACTUAL
TYPE
BIAS
TIME
(hours)
MODE
FITs
(note a)
(V)
IRGBC30F
IRGBC30FD2
IRGBC30FD2
IRGBF30F
150
150
150
150
20
20
20
20
2008 0
2095 0
2007 0
2008 0
3722
3567
3724
3722
TOTALS
8118 0
921
NOTES
b. FAILURE MODES:
I
Quarterly Reliability Report
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PF50WDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4PF50WPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRG4PH30KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
| IRG4PH30 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4PH40S | 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 42.000A TO-247 / IGBT : JA / DISCR |
| IRG4PH40SD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4PH40U | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
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| IRG4PH40UD2 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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