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参数资料
| 型号： | IRG4PH50KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 2.77V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 24A条） |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 224K |
| 代理商： | IRG4PH50KD |
IRG4PH50KD
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
T = 150 C
1
10
100
5
6
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
7
8
9
10
11
12
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
f, Frequency (KHz)
L
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125
°
C
T = 90
°
C
G ate drive as specified
Pow er D issipation = W
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PH50 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A) |
| IRG4PH50UD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A) |
| IRG4PH50UDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4PH50U | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A) |
| IRG4PSC71KDPBF | INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4PH50KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4PH50K-E | 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 36.000A TO-247 / IGBT : JA / DISCR |
| IRG4PH50KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4PH50KPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PH50S | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
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