- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377518 > IRG4PH50KD (International Rectifier) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRG4PH50KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 2.77V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 24A条） |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 224K |
| 代理商： | IRG4PH50KD |
IRG4PH50KD
6
www.irf.com
1
10
100
1000
1
10
100
1000
10000
V = 20V
T = 125 C
o
SAFE OPERATING AREA
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
I , Collector Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 960V
V = 15V
°
Fig. 13
- Typical Forward Voltage Drop vs. Instantaneous Forward Current
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
1
10
100
1000
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
T = 150
°
C
T = 125
°
C
T = 25
°
C
Forward Voltage Drop - V (V)
I
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PH50 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A) |
| IRG4PH50UD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A) |
| IRG4PH50UDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4PH50U | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A) |
| IRG4PSC71KDPBF | INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRG4PH50KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4PH50K-E | 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 36.000A TO-247 / IGBT : JA / DISCR |
| IRG4PH50KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRG4PH50KPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PH50S | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。