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参数资料
| 型号： | IRG4PH50U |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 2.78V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 24A条） |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | IRG4PH50U |
IRG4PH50U
www.irf.com
5
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
0
4
8
12
16
20
V
G
V
I
= 400V
= 24A
CC
C
1
10
100
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
0
10
20
30
40
50
RG, Gate Resistance (
)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
T
VCC = 960V
VGE = 15V
TJ = 25
°
C
I C = 24A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ, Junction Temperature (
°
C)
0.1
1
10
100
T
RG = 5.0
VGE = 15V
VCC = 960V
IC = 48A
IC = 24A
IC = 12A
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