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参数资料
| 型号： | IRG4RC10 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
| 中文描述： | 绝缘栅双极晶体管（VCES和\u003d 600V电压的Vce（on）典型.\u003d 2.39V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 5.0a中） |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | IRG4RC10 |
IRG4RC10KD
www.irf.com
3
0.1
1
10
100
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
f, Frequency (KHz)
L
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
For both:
Duty cycle: 50%
TJ
°
C
Tsink
°
C
Gate drive as specified
Power Dissipation = W
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
1.4
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1.0
2.0
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
5
10
15
20
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
55
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PDF描述 |
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