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参数资料
型号： IRG4RC10KDPBF
厂商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管
文件页数： 9/12页
文件大小： 330K
代理商： IRG4RC10KDPBF
www.irf.com
9
Vg GATE SIGNAL
DEVICE UNDER TEST
CURRENT D.U.T.
VOLTAGE IN D.U.T.
CURRENT IN D1
t0
t1
t2
D.U.T.
V *
50V
L
1000V
6000μF
100V
Figure 19. Clamped Inductive Load Test Circuit
Figure 20. Pulsed Collector Current
Test Circuit
Figure 18e. Macro Waveforms for
Figure 18a's
Test Circuit
相关PDF资料
PDF描述
IRG4RC10KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A)
IRG4RC10SD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRG4RC10KDTR 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10KDTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI
IRG4RC10KDTRPBF 功能描述:IGBT 模块 600V 8.500A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IRG4RC10KDTRR 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI
IRG4RC10KPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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