型号: | IRG4RC10S |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A) |
中文描述: | 绝缘栅双极晶体管(VCES和\u003d 600V电压的Vce(on)典型.\u003d 1.10V,@和VGE \u003d 15V的,集成电路\u003d 2.0安培) |
文件页数: | 4/10页 |
文件大小: | 190K |
代理商: | IRG4RC10S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRG4RC10SD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) |
IRG4RC10UD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
IRG4RC10KDTR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
IRG4RC10KDTRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
IRG4RC10KDTRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRG4RC10SD | 功能描述:IGBT STD W/DIODE 600V 8.0A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
IRG4RC10SDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ (STD) COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRG4RC10SDTR | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT Transistor, N-CHAN, TO-252AA |
IRG4RC10SDTRLP | 功能描述:IGBT UFAST 600V 14A COPACK DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
IRG4RC10SDTRPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |