- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384501 > IRGB15B60KD (International Rectifier) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRGB15B60KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 8/16页 |
| 文件大小： | 322K |
| 代理商： | IRGB15B60KD |
IRG/B/S/SL15B60KD
8
www.irf.com
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 23
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 15A; L = 600μH
Fig. 22
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
0
10
20
30
40
IF (A)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
E
22
10
47
100
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
10
100
1000
10000
C
Cies
Coes
Cres
0
20
40
60
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
300V
400V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGS15B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGSL15B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGB20B60PD1 | SMPS IGBT |
| IRGB30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGB15B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB20B60PD1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT |
| IRGB20B60PD1PBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB30B60K | 功能描述:IGBT 600V 78A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| IRGB30B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。