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参数资料
| 型号： | IRGB6B60KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 11/15页 |
| 文件大小： | 307K |
| 代理商： | IRGB6B60KD |
IRG/B/S/SL6B60KD
www.irf.com
11
-50
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
-0.20
0.30
0.80
time(μs)
V
C
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
I
C
90% I
CE
5% V
CE
5% I
CE
Eoff Loss
tf
-100
0
100
200
300
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500
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16.10
16.20
16.30
16.40
time (μs)
V
C
-5
0
5
10
15
20
25
I
C
TEST CURRENT
90% test current
5% V
CE
10% test current
tr
Eon Loss
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-250
-200
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-100
-50
0
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-0.06
0.04
0.14
0.24
time (μS)
V
F
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
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I
F
Peak
I
RR
t
RR
Q
RR
10%
Peak
IRR
0
-5.00
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300
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500
0.00
5.00
10.00
15.00
time (μS)
V
C
0
10
20
30
40
50
I
C
V
CE
I
CE
Fig. WF1- Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF2- Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF3- Typ. Diode Recovery Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF4- Typ. S.C Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGSL6B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRH7450SE | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=11A) |
| IRH9130 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AA) |
| IRH93130 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AA) |
| IRH9150 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AE) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGB6B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB6B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB8B60K | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220AB |
| IRGB8B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGBC20 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=9.0A) |
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