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参数资料
型号： IRGI4061DPBF
厂商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复DIODEINSULATED栅双极晶体管与超快软恢复二极管
文件页数： 5/10页
文件大小： 298K
代理商： IRGI4061DPBF
IRGI4061DPbF
www.irf.com
5
Fig. 13
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 150°C; L = 1mH; V
CE
= 400V, R
G
= 22
; V
GE
= 15V.
Fig. 15
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 150°C; L = 1mH; V
CE
= 400V, I
CE
= 11A; V
GE
= 15V
Fig. 14
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 150°C; L=1mH; V
CE
= 400V
R
G
= 22
; V
GE
= 15V
Fig. 16
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 150°C; L=1mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 11A; V
GE
= 15V
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 150°C; I
F
= 11A
0
4
8
12
16
20
24
IC (A)
0
100
200
300
400
500
600
700
E
EOFF
EON
0
4
8
12
16
20
24
IC (A)
1
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
25
50
75
100
125
RG (
)
10
100
1000
S
tR
tF
tdOFF
tdON
0
4
8
12
16
20
24
IF (A)
0
4
8
12
16
20
24
IR
RG = 100
RG =10
RG =22
RG =47
0
25
50
75
100
125
RG (
)
4
8
12
16
20
24
IR
0
25
50
75
100
125
RG (
)
0
100
200
300
400
500
E
EON
EOFF
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PDF描述
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