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参数资料
| 型号： | IRGPH50KD2 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | IRGPH50KD2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGPH40K | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路额定超快速绝缘栅型双极型晶体管) |
| IRGPS40B120UD | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR |
| IRGS14B40L | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 430V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-252VAR |
| IRGTDN100M12 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
| IRGTDN150K06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 170A I(C) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGPH50M | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRGPH50MD2 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A) |
| IRGPH50S | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=33A) |
| IRGPH60UD2 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRGPS4067DPbF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 1.6V 120A Solar UPS Welding RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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