参数资料
型号: IRGS6B60KD
厂商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: 绝缘栅双极型晶体管,超快软恢复二极管
文件页数: 10/15页
文件大小: 307K
代理商: IRGS6B60KD
IRG/B/S/SL6B60KD
10
www.irf.com
Fig.C.T.1
- Gate Charge Circuit (turn-off)
Fig.C.T.2
- RBSOA Circuit
1K
VCC
DUT
0
L
Fig.C.T.3
- S.C.SOA Circuit
Fig.C.T.4
- Switching Loss Circuit
Fig.C.T.5
- Resistive Load Circuit
L
Rg
VCC
diode clamp /
DUT
DUT /
DRIVER
- 5V
Rg
VCC
DUT
R =
V
CC
I
CM
L
Rg
80 V
DUT
480V
+
-
DC
Driver
DUT
360V
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PDF描述
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参数描述
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IRGS6B60KDTRLP 功能描述:IGBT 模块 600V 5A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IRGS6B60KDTRRP 功能描述:IGBT 模块 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IRGS6B60KPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGS6B60KTRLPBF 功能描述:IGBT 模块 600V 7AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: