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参数资料
| 型号： | IRGS6B60KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 307K |
| 代理商： | IRGS6B60KD |
IRG/B/S/SL6B60KD
8
www.irf.com
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 23
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 5.0A; L = 600μH
Fig. 22
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
1
10
100
VCE (V)
1
10
100
1000
C
Cies
Coes
Cres
0
5
10
15
20
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
300V
400V
0
5
10
15
IF (A)
50
100
150
200
250
300
E
47
22
100
150
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB6B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGSL6B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGS6B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGS6B60KDTRLP | 功能描述:IGBT 模块 600V 5A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IRGS6B60KDTRRP | 功能描述:IGBT 模块 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IRGS6B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGS6B60KTRLPBF | 功能描述:IGBT 模块 600V 7AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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