型号: | IRGSL10B60KD |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
中文描述: | 绝缘栅双极型晶体管,超快软恢复二极管 |
文件页数: | 5/15页 |
文件大小: | 324K |
代理商: | IRGSL10B60KD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRGB15B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRGS15B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRGSL15B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRGB20B60PD1 | SMPS IGBT |
IRGB30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRGSL10B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRGSL14C40L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps |
IRGSL14C40LPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 430V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
IRGSL15B60KD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRGSL15B60KDPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V ULTRAFAST 10-30 KHZ COPACK IGBT IN A TO-262 PACKAGE - Rail/Tube |