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参数资料
| 型号： | IRGSL10B60KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | IRGSL10B60KD |
IRG/B/S/SL10B60KD
8
www.irf.com
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 23
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 10A; L = 600μH
Fig. 22
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
0
5
10
15
20
25
IF (A)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
E
22
10
47
100
0
10
20
30
40
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
300V
400V
1
10
100
VCE (V)
10
100
1000
C
Cies
Coes
Cres
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB15B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGS15B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGSL15B60KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGB20B60PD1 | SMPS IGBT |
| IRGB30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGSL10B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGSL14C40L | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps |
| IRGSL14C40LPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 430V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGSL15B60KD | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGSL15B60KDPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V ULTRAFAST 10-30 KHZ COPACK IGBT IN A TO-262 PACKAGE - Rail/Tube |
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