参数资料
型号: IRGSL6B60KD
厂商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: 绝缘栅双极型晶体管,超快软恢复二极管
文件页数: 7/15页
文件大小: 307K
代理商: IRGSL6B60KD
IRG/B/S/SL6B60KD
www.irf.com
7
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 150°C; I
F
= 5.0A
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;T
J
= 150°C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;
I
CE
= 5.0A; T
J
= 150°C
0
50
100
150
200
RG (
)
0
4
8
12
16
20
IR
0
200
400
600
800
1000
diF /dt (A/μs)
0
4
8
12
16
20
IR
0
200
400
600
800
1000
diF /dt (A/μs)
0
200
400
600
800
1000
1200
QR
22
47
100
150
10A
5.0A
3.0A
0
5
10
15
20
IF (A)
0
5
10
15
20
25
IR
RG = 22
RG =47
RG =100
RG =150
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