- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377521 > IRHF53Z30 (International Rectifier) 30V, N-CHANNEL Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(30V,通孔安装抗辐射功率N沟道MOS场效应管) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRHF53Z30 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 30V, N-CHANNEL Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(30V,通孔安装抗辐射功率N沟道MOS场效应管) |
| 中文描述： | 30V的N通道通孔抗辐射功率MOSFET（30V的，通孔安装抗辐射功率?沟道马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | IRHF53Z30 |
IRHF57Z30
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
12V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
I
D
LIMITED BY PACKAGE
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHF57Z30 | 30V, N-CHANNEL Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(30V,通孔安装抗辐射功率N沟道MOS场效应管) |
| IRHF58Z30 | 30V, N-CHANNEL Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(30V,通孔安装抗辐射功率N沟道MOS场效应管) |
| IRHF7130 | HEXFET Transistor(HEXFET MOS场效应管) |
| IRHF7230 | HEXFET Transistor(HEXFET MOS场效应管) |
| IRHF8230 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET?? TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRHF54034 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHF54130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHF54214SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHF54230 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:RADIATION GARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
| IRHF54230SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。