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参数资料
| 型号： | IRHF58Z30 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 30V, N-CHANNEL Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(30V,通孔安装抗辐射功率N沟道MOS场效应管) |
| 中文描述： | 30V的N通道通孔抗辐射功率MOSFET（30V的，通孔安装抗辐射功率?沟道马鞍山场效应管） |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | IRHF58Z30 |
www.irf.com
5
Pre-Irradiation
IRHF57Z30
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
rss
C
oss
C
iss
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
12A
V
= 15V
DS
V
= 24V
DS
0.1
1
10
100
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
10ms
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY RDS(ON)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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