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参数资料
| 型号： | IRHF8110 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET的通孔 |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 460K |
| 代理商： | IRHF8110 |
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 29b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 29a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 28c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 28b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 28a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRHF8110SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHF8130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:100V 8.000A HEXFET RADHARD - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHF8230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHF9110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
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