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参数资料
| 型号： | IRHM4250 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET的通孔（对254AA） |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | IRHM4250 |
www.irf.com
5
Pre-Irradiation
IRHM7250, JANSR2N7269
Fig 6.
Typical On-State Resistance Vs.
Neutron Fluence Level
Fig 5.
Typical Zero Gate Voltage Drain
Current Vs. Total Dose Exposure
Fig 8b.
V
DSS
Stress Equals
80% of B
VDSS
During Radiation
Fig 9.
High Dose Rate
(Gamma Dot) Test Circuit
Fig 7.
Typical Transient Response
of Rad Hard HEXFET During
1x10
12
Rad (Si)/Sec Exposure
Fig 8a.
Gate Stress of V
GSS
Equals 12 Volts During
Radiation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRHM450 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-254AA |
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