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参数资料
| 型号： | IRHM8260 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE(T0-254AA) |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET的通孔（T0代- 254AA） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 265K |
| 代理商： | IRHM8260 |
!
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
10
100
1000
1
10
100
T = 25 C
°
20μs PULSE WIDTH
BOTTOM
TOP
VGS
12V
8.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
10
100
1000
1
10
100
T = 150 C
°
20μs PULSE WIDTH
BOTTOM
TOP
VGS
7.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
10
100
1000
5
6
V , Gate-to-Source Voltage (V)
7
8
9
10
11
12
20μs PULSE WIDTH
V = 50V
DS
I
D
T = 25 C
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
I =
40A
V
=
GS
12V
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参数描述 |
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